Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы
Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О.
В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 ''Нанотехнологии в микроэлектронике''. Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ
ক্যাটাগোরিগুলো:
সাল:
2006
প্রকাশক:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
ভাষা:
russian
পৃষ্ঠা:
18
ফাইল:
PDF, 495 KB
IPFS:
,
russian, 2006
Litres
বুক স্টোর যোগ করতে চান? support@z-lib.do এ আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
File converter
অনুসন্ধানের আরো ফলাফল
More benefits 
প্রায়শই ব্যবহৃত পরিভাষা
সম্পর্কিত বইয়ের তালিকা
